GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究

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本文报导了为提高GaAlAs双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色LED的发光强度为400mcd,由于电极制作技术的改进,其正向电压降低于国外同类产品。 This paper reports the technology and preliminary research results of quantum efficiency of GaAlAs double heterojunction red light-emitting diode. Has developed a high-brightness red LED luminous intensity of 400mcd, due to the improvement of the electrode production technology, the forward voltage is lower than similar foreign products.
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