Power Conversion Efficiency of Schottky Diode Fabricated on AIGaAs/GaAs Heterostructure

来源 :材料科学与工程：中英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gfgtestweb

【作者】

：

Parimon Norfarariyanti Mustafa

【机构】

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MaterialInnovationsandNanoelectronicsResearchGroup,TelekomResearch＆Development,Nano-OptoelectronicsR

【出处】

：

材料科学与工程：中英文版

【发表日期】

：

2010年6期

【关键词】

：

肖特基二极管转换效率异质结构微波功率砷化镓高电子迁移率晶体管制备 HEMT器件 AIGaAs/GaAs HEMT rectenna Schot

【基金项目】

：

The authors wish to thank Ministry of Science, Technology and Innovation, Malaysia government for research fund through Science-Fund Grant 03-01-06-SF0277. P. Norfarariyanti wishes to thank the Minist

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