【摘 要】
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ｎ＋－Ｓｉ在ＨＦ水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅（ＰＳ）具有较好的电致发光（ＥＬ）性能，其发光光谱的波长范围约在５００～８００ｎｍ之间，阴极ＥＬ的波长和强度均随调制电位可逆变化；在酸性溶液中，发光强度较大，光淬灭过
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ｎ＋－Ｓｉ在ＨＦ水溶液中经光电化学刻蚀形成的微米级多孔硅（ＰＳ）具有较好的电致发光（ＥＬ）性能，其发光光谱的波长范围约在５００～８００ｎｍ之间，阴极ＥＬ的波长和强度均随调制电位可逆变化；在酸性溶液中，发光强度较大，光淬灭过程也较中性溶液为慢．与ｎ－－Ｓｉ的结果类似，ＰＳ的制备电位也决定性地影响着ＥＬ的强度．光淬灭前的伏安行为表明，除Ｓ２Ｏ２－３和Ｈ＋还原外，可能还涉及ＰＳ表面化合物的转化．对能带图进行了讨论．
The micron-scale porous silicon (PS) formed by photochemical etching of n + -Si in HF aqueous solution has good electroluminescence (EL) performance. Its emission spectrum has a wavelength in the range of 500-800 nm. The cathode EL Wavelength and intensity are reversible changes with the modulation potential; in acidic solution, the luminous intensity is larger, the light quenching process is also slower than the neutral solution. Similar to the result of n - Si, the preparation potential of PS also decisively affects the intensity of EL. The voltammetric behavior before light quenching suggests that in addition to S2O2-3 and H + reduction, conversion of PS surface compounds may be involved. The band diagram was discussed.
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