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采用固相烧结法，在真空管式炉中于960℃下保温2h，制备得到具有纯黄铜矿结构均匀致密的CuInS2陶瓷，所制备的陶瓷呈现P型导电且导电性能良好．此外，以自制的CuInS2陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积法在c轴取向的蓝宝石单晶衬底上制备得到高质量的外延CuInS2薄膜．XRD分析表明薄膜具有良好的沿（112）方向外延取向性，透射光谱测试分析得到薄膜光学带隙为1．4eV．