【摘 要】
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应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所,
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应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。
The ion implantation process can be prepared to obtain a large linear current, window dead thin silicon pin radiation detector. Firstly, the principle of forming pn junction by ion implantation is briefly introduced. The ion implantation process is designed and calculated according to the technical requirements. Two important control parameters of 40 keV implantation and 4 × 1014 / cm2 implantation are obtained respectively. At the same time, the influencing factors and the corresponding treatment methods in the ion implantation process are analyzed, which has a good guiding effect on the production. The technical parameters of the silicon pin radiation detector prepared by using the designed process parameters meet the requirements and the validity of the ion implantation process design and parameter control is verified.
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