【摘 要】
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采用一种新的液相外延生长工艺,在1.3和1.5μm波长范围内实现了InGaAsP/InP平面隐埋异质结构激光二极管(PBH-LD)。由于有效的载流子限制的结果,1.3和1.5μm波长的平面隐埋异
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采用一种新的液相外延生长工艺,在1.3和1.5μm波长范围内实现了InGaAsP/InP平面隐埋异质结构激光二极管(PBH-LD)。由于有效的载流子限制的结果,1.3和1.5μm波长的平面隐埋异质结构激光二极管,在室温下分别得到8.5mA和13mA的连续波阈值电流。
InGaAsP / InP planar buried heterostructure laser diode (PBH-LD) is realized in a wavelength range of 1.3 and 1.5 μm with a new liquid-phase epitaxial growth process. As a result of effective carrier confinement, a planar buried heterostructure laser diode with 1.3 and 1.5 μm wavelength results in continuous wave threshold currents of 8.5 mA and 13 mA, respectively, at room temperature.
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