Calculation of Radius of Curvature for Strained Layer Structure and Fabrication of Semiconductor Mic

来源 :材料科学与工程：中英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：w8521843d

【作者】

：

Murugesan Silambarasan Shanmug

【机构】

：

CentreforPhotonicsandNanotechnology

【出处】

：

材料科学与工程：中英文版

【发表日期】

：

2010年10期

【关键词】

：

理论计算值半导体薄膜曲率半径结构组成砷化镓应变层 GAAS(001) 微管 Micro tube GaAs substratc DQW radi

【基金项目】

：

The authors would like to thank Dr.T.Harayama, ATR Wave Engineering Laboratory, Kyoto, Japan for extending their growth facility.

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