【摘 要】
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在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ￣＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制备的Ｃ－ＳｉＣ薄膜经Ｈｅ￣＋辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜
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在室温下分别采用射频磁控溅射和离子束辅助沉积技术沉积Ｃ－ＳｉＣ薄膜，并进行了相同注量和相同能量的Ｈｅ￣＋辐照试验。分析结果表明：两种不同方式制备的Ｃ－ＳｉＣ薄膜经Ｈｅ￣＋辐照后显示了不同的形貌特征，薄膜中Ｓｉ组分的含量也有不同。我们对此进行了讨论，还进行了相应的Ｓｌ、Ｃ的化学态分析。
C-SiC films were deposited by RF magnetron sputtering and ion-beam-assisted deposition at room temperature, and He ~ + irradiation experiments with the same fluence and the same energy were performed. The results show that the C-SiC films prepared by the two different methods show different topographic features after He ~ + irradiation, and the content of Si in the films is also different. We have discussed this, also carried out the corresponding Sl, C chemical state analysis.
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