【摘 要】
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研究了2.45 GHz微波灼烧(Ba,Sr)3MgSi2O8∶Eu2+,Mn2+荧光粉的非热效应对Mn2+离子660 nm红光发射强度的影响.在相同的加热温度条件下,增加微波场的输出功率,微波非热效应导致E
【机 构】
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天津理工大学材料物理研究所,天津,300384;天津理工大学天津光电材料与器件重点实验室,天津300384;显示材料与光电器件教育部重点实验室 天津理工大学,天津300384;天津理工大学材料物理研究
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研究了2.45 GHz微波灼烧(Ba,Sr)3MgSi2O8∶Eu2+,Mn2+荧光粉的非热效应对Mn2+离子660 nm红光发射强度的影响.在相同的加热温度条件下,增加微波场的输出功率,微波非热效应导致Eu2+离子蓝光的跃迁概率增加,Eu2+通过(Ba,Sr)3MgSi2O8基质晶格把能量传递给Mn2+,进而使Mn2+的跃迁概率增加,导致红光发射增强.提出了一种微波场非热效应对能量传递影响的新观点,认为在微波加热过程中强微波磁场可能会对像Mn2+这样具有顺磁性的激活剂离子的能级结构和能量传递性质产生干扰作用.
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