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在分析已发表的典型异或门电路的基础上,提出一种新型高性能的异或门电路,其电路核心部分仅3个晶体管,包括一个改进型互补CMOS反相器和一个NMOS传输门.在TSMC0.18μm CMOS工艺下经HSPICE模拟.结果表明,与已有的异或门电路相比,新设计在速度和功耗延迟积上具有较大的优势.
高性能异或门电路的设计
【摘 要】
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在分析已发表的典型异或门电路的基础上,提出一种新型高性能的异或门电路,其电路核心部分仅3个晶体管,包括一个改进型互补CMOS反相器和一个NMOS传输门.在TSMC0.18μm CMOS工
【机 构】
：
中国计量学院光学与电子科技学院
【出 处】
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中国计量学院学报
【发表日期】
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2012年4期
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