【摘 要】
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本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｌｏｎ ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称 ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需
【机 构】
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中国纺织大学应用物理教研室,中国纺织大学应用物理教研室 上海200051,上海200051
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本文介绍了近几年发展起来的一种新型离子注入技术——等离子体源离子注入（Ｐｌａｓｍａ Ｓｏｕｒｃｅｌｏｎ ｌｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ，简称 ＰＳＩＩ）——的原理、装置和应用．除可应用于半导体外，这一技术应可满足金属或非金属材料表面改性的需要．实践证明它是一种极有开拓前景的离子注入技术．
This paper introduces the principle, device and application of a new ion implantation technology - Plasma Source Ion Implantation (PSII) - which has been developed in recent years. In addition to being applicable to semiconductors, this technology should meet the need for surface modification of metallic or non-metallic materials. Practice has proved that it is a very promising ion implantation technology.
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