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以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒.用XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究.结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系.
管式电炉合成氮化镓晶粒的研究
【摘 要】
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以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒.用XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究.结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系.
【机 构】
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山东师范大学物理系
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2003年11期
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