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以铝掺杂氧化锌（Zn O：Al）陶瓷靶作为溅射材料,采用RF磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了Zn O：Al半导体薄膜,通过X射线衍射（XRD）测试研究了衬底温度对Zn O：Al薄膜生长特性及其微结构性能的影响.研究表明：衬底温度对薄膜生长和微结构均具有明显的影响;随着衬底温度的升高,薄膜（002）晶面取向度和平均晶粒尺寸表现为先增大后减小的变化趋势,而半高宽、微应变和位错密度则呈现出先减小后增大的变化趋势.当衬底温度为650 K时,Zn O：Al薄膜具有最高的（002）晶面取向度、最大的晶粒尺寸、最窄的半