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针对传统Hopfield神经网络在联想记忆中存在的大量伪状态,设计出一种以非线性内电位函数构造为核心的抗伪状态方案,以取代传统的Hebb规则及其外积法,建立了一种抗伪状态的联想记忆网络(ASS-SSNN),并通过吸引域的变化研究抗伪状态方案的正确性和有效性。仿真结果表明:ASS-SSNN比采用传统Hebb规则及其外积法的Hopfield联想记忆网络(HNN)在容错性上更优,记忆状态的吸引域明显增大,存储容量也有所增加。