【摘 要】
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静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片
【机 构】
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中国空空导弹研究院,中国电子科技集团第十三研究所
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静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络有利于泄放大电流;基于静电放电人体模型,运用静电模拟仪器对相关多放进行了模拟试验,并对其性能进行测试;结果表明:器件的抗静电能力从200 V提高到了1400 V,开关选通前后沿小于5 ns,开关延迟不大于10 ns,控制信号泄露不大于40 mV,开关输出幅度不小于1 V。抗静电能力改进后
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