L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：EchoChina

【摘要】

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采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiNx/Si（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴

【作者】

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张新安张景文杨晓东娄辉刘振玲张伟风侯洵

【机构】

：

河南大学物理与信息光电子学院,西安交通大学信息光子技术省重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年6期

【关键词】

：

激光分子束外延 ZNO薄膜薄膜晶体管 L-MBE ZnO thin films thin film transistor

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采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiNx/Si（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管（ZnO-TFT）,该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm^2/（V·s）.

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