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利用第一性原理密度泛函理论,计算了不同浓度Zn掺杂BaTiO3的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂Zn后,禁带宽度减小,跃迁类型仍为间接跃迁,体系价带顶向高能方向移动,费米能级穿过了价带,体现出p型半导体的特征.在光学性质上,介电函数虚部在低能端出现新的波峰;无入射光情况下的纯BaTiO3静态介电常数值为4.902,掺杂Zn后,静态介电常数明显增加.