【摘 要】
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本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构物理实验室
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本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究．
This paper describes the deposition of silicon thin films in PECVD using LayerbyLaver. The films are crystallized at a substrate temperature of only 250 ° C. In this paper, the tailoring effect of hydrogen in the film deposition process was analyzed, and the structure and the photoelectric properties of the film were studied in detail.
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