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对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度、降低辐照栅电压、减小鸟嘴斜率均将有助于降低寄生泄漏电流,提高抗辐射能力.
MOS器件加固技术的理论研究
【摘 要】
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对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状3个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺
【机 构】
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西北核技术研究所
【出 处】
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原子能科学技术
【发表日期】
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2002年3期
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