【摘 要】
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在TiO2薄膜化学机械抛光(CMP)加工过程中,TiO2薄膜的材料去除速率(MRR)非常重要。对抛光工艺参数进行了优化研究,CMP实验采用自主配制的碱性抛光液对TiO2进行抛光,研究了抛光
【机 构】
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河北工业大学信息工程学院,河北工业大学微电子研究所,
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在TiO2薄膜化学机械抛光(CMP)加工过程中,TiO2薄膜的材料去除速率(MRR)非常重要。对抛光工艺参数进行了优化研究,CMP实验采用自主配制的碱性抛光液对TiO2进行抛光,研究了抛光压力、抛光液流量、抛光头转速和抛光盘转速对材料去除速率的影响。实验结果表明:在抛光压力为1 psi(1 psi=6 895 Pa)、抛光液流量为250 mL/min、抛光头转速为87 r/min、抛光盘转速为80 r/min的工艺条件下,TiO2薄膜去除速率达到61.2 nm/min,既节约了成本又保证了较高的材料去除速率。
During the TiO2 thin film chemical mechanical polishing (CMP) process, the material removal rate (MRR) of TiO2 thin films is very important. The polishing process parameters were optimized. In the CMP experiment, TiO2 slurry was prepared by self-made alkaline polishing solution. The effects of polishing pressure, polishing liquid flow rate, polishing head rotation speed and polishing disc rotation speed on the material removal rate were studied. The experimental results show that under the conditions of polishing pressure of 1 psi (1 psi = 6 895 Pa), polishing liquid flow rate of 250 mL / min, polishing head rotation speed of 87 r / min and polishing disc rotation speed of 80 r / min, TiO2 film removal rate of 61.2 nm / min, which not only saves costs but also ensures a high material removal rate.
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