【摘 要】
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研究了表面掺杂和高温烧结对TiO材料半导体的影响，结果表明：TiO材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与T离子半径相近的V，Nb，Sb，Mg，Li等离子可与TiO生成固熔体，从而增加材料
【机 构】
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莱阳农学院基础课部(山东莱阳)莱阳农学院基础课部(山东莱阳)
【出 处】
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第六届全国气湿敏传感器技术学术交流会及第八届全国湿度与水分检测学术交流会
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研究了表面掺杂和高温烧结对TiO<,2>材料半导体的影响，结果表明：TiO<,2>材料在高温条件下可产生间隙离子和氧空位；掺入与T<4+>离子半径相近的V<5+>，Nb<5+>，Sb<5+>，Mg<2+>，Li<+>等离子可与TiO<,2>生成固熔体，从而增加材料的导电粒子数目，改变TiO<,2>材料的能带结构，降低材料的固有阻值，使TiO<,2>材料半导化。
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