【摘 要】
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离子源是离子注入机的核心部件之一,注入机的水平主要取决于离子源的性能,且通常以″B~+束流的大小来标志。目前国际先进的强流离子注入机″B~+的束流已达5mA,国内仅达到1.2
【机 构】
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中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院,中国原子能科学研究院 北京rrrrrrrrn,北京rrrrrrrrn,北京
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离子源是离子注入机的核心部件之一,注入机的水平主要取决于离子源的性能,且通常以″B~+束流的大小来标志。目前国际先进的强流离子注入机″B~+的束流已达5mA,国内仅达到1.2mA。为适应国内半导体工业的需要。提高我国强流离子注入机的水平,我们研制了这台强流Freeman离子源。
The ion source is one of the core components of an ion implanter. The level of the implanter mainly depends on the performance of the ion source, and is generally indicated by the size of the beam B ~ +. At present, the international advanced ion implanter "B ~ + The beam has reached 5mA, the domestic only reached 1.2mA. In order to meet the needs of the domestic semiconductor industry. To improve the level of strong ion implanter in our country, we developed this strong flow Freeman ion source.
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