【摘 要】
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据报导,日本研制成一种新的用于混合集成电路的Al衬底。这种衬底是在1～2mm厚的Al板上用环氧树脂作成一层厚度为50～150μm的绝缘层,在绝缘层上再形成一层厚度为35μm的铜箔。和
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据报导,日本研制成一种新的用于混合集成电路的Al衬底。这种衬底是在1～2mm厚的Al板上用环氧树脂作成一层厚度为50～150μm的绝缘层,在绝缘层上再形成一层厚度为35μm的铜箔。和以往的衬底相比,这种Al衬底的热阻大大下降。 绝缘层的电阻率为2.2×10~(15)Ω·cm,耐压为20KV/mm,介质损耗为0.016(100KHz)。
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