反应烧结MoSi2－SiC复相材料电阻率的拓扑研究

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wen06080

【摘要】

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用拓扑法计算了不同显微组织的MoSi2-SiC材料的电阻率,得到的理论推算结果与实验值吻合很好.研究结果表明,提高高电阻率SiC的体积分数和降低MoSi2-SiC分布的连续性,可提高MoS

【作者】

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张小立吕振林金志浩

【机构】

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西安交通大学,西安理工大学

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2003年8期

【关键词】

：

MoSi2-SiC 复相材料电阻率连接程度 MoSi2-SiC composite resistivity contiguity

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用拓扑法计算了不同显微组织的MoSi2-SiC材料的电阻率,得到的理论推算结果与实验值吻合很好.研究结果表明,提高高电阻率SiC的体积分数和降低MoSi2-SiC分布的连续性,可提高MoSi2-SiC材料整体的电阻率.该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的SiC含量和分布形态,为确定MoSi2-SiC复相材料的显微结构设计提供指导.

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