【摘 要】
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我所自81年4月份开展InP-GalnAs液相外延生长以来,已于8月中旬在InP衬底上生长出与衬底晶格相匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)AS/InP的液相外延层.三元层表面光亮平整的双层外延材
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我所自81年4月份开展InP-GalnAs液相外延生长以来,已于8月中旬在InP衬底上生长出与衬底晶格相匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)AS/InP的液相外延层.三元层表面光亮平整的双层外延材料,其禁带宽度为0.74～0.75eV,晶格失配率为2.77×10~(-4)左右.为进一步检验材料的特性,今年11月初用这种材料进行了长波长光电探测器试验.该器件采用Zn扩散结
Since the InP-GalnAs liquid-phase epitaxial growth was carried out in April, 81, a liquid of Ga_ (0.47) In_ (0.53) AS / InP matching with the substrate lattice was grown on InP substrate in mid-August. Phase epitaxial layer, the birefringence of the ternary layer is about 0.74 ~ 0.75eV and the lattice mismatch rate is about 2.77 × 10 ~ (-4) .To further verify the characteristics of the material, this year A long wavelength photodetector test was conducted with this material in early November. The device uses a Zn diffusion junction
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