【摘 要】
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在GaAs功率MESFET的研制和生产过程中,为了减小器件热阻,必须减薄芯片之后再进行管芯装架。目前我们要求芯片减薄到大约100μm。 为了改进芯片减薄工艺,我们加工了如图1所示
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在GaAs功率MESFET的研制和生产过程中,为了减小器件热阻,必须减薄芯片之后再进行管芯装架。目前我们要求芯片减薄到大约100μm。 为了改进芯片减薄工艺,我们加工了如图1所示的不锈钢凹槽磨块。其槽深是关键尺寸,它应该等于减薄之后的芯片厚度与粘料厚度之和。
In the GaAs power MESFET development and production process, in order to reduce the thermal resistance of the device, the chip must be thinned after the die core rack. At present, we require the chip thinning to about 100μm. In order to improve the chip thinning process, we have processed the stainless steel groove grinding block as shown in FIG. 1. The groove depth is the critical dimension, which should equal the sum of the thickness of the chip after thinning and the thickness of the paste.
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