【摘 要】
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无位错区熔(氢)硅单晶通过轻水堆中子辐照,然后热处理,再经化学腐蚀,将观察不到氢致φ型缺陷,全部代之以氢沉淀。金相和扫描电镜观察氢沉淀呈丘状小凸起。图像分析表明,氢沉
【机 构】
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无位错区熔(氢)硅单晶通过轻水堆中子辐照,然后热处理,再经化学腐蚀,将观察不到氢致φ型缺陷,全部代之以氢沉淀。金相和扫描电镜观察氢沉淀呈丘状小凸起。图像分析表明,氢沉淀尺度均小于10μm,面密度达10~4～10~5cm~(-2)。利用FZ硅中的氢沉淀制备了硅片表面完整层。
No-dislocation zone Melting (hydrogen) silicon single crystal through the light water reactor neutron irradiation, and then heat treatment, and then by chemical corrosion, will not be observed hydrogen-induced φ-type defects, all replaced by hydrogen precipitation. Metallographic and scanning electron microscopy showed a small prominence of hydrogen deposits. Image analysis shows that the precipitation scale of hydrogen is less than 10μm and the surface density is 10 ~ 4 ~ 10 ~ 5cm ~ (-2). The complete surface of the wafer surface was prepared by hydrogen precipitation in FZ silicon.
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