【摘 要】
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本文以 n/n~+-Si 和 p/n~+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光
【机 构】
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山东大学化学系,山东大学化学系,山东大学化学系 济南,250100 山东师范大学化学系,济南,250100,济南,250100
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本文以 n/n~+-Si 和 p/n~+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n~+-Si 电极,在65mW·cm~(-2)的光照射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压0.530 V,短路光电流47.6mA·cm~(-2),填充因子0.35,光电转换效率13.6%.连续照光75小时,电池性能基本稳定。
In this paper, the surface of n / n ~ + -Si and p / n ~ + -Si was modified by platinum, nickel and other metal films to form a photoelectrochemical cell. The Schottky barrier between metal / Photoelectrochemical properties of the Pt film modified electrode were studied.The output parameters of the best cell with p / n ~ + -Si electrode at 65mW · cm ~ (-2) light were: open circuit light Voltage 0.530 V, short circuit photocurrent 47.6 mA · cm -2, fill factor 0.35, photoelectric conversion efficiency 13.6% .Continuous light 75 hours, the battery performance is basically stable.
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