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用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体,晶体毛坯的尺寸为28mm×28mm×360mm,晶体的生长工艺参数为:籽晶取向[001],下降速度0.6～1.0mm/h,生长界面附近的温度梯度为20～30℃/cm,加工后的晶体成品在420nm附近的透过率＞60%;在360nm附近的透过率＞25%.晶体的光输出＞9p.e/MeV,光伤＜5%.