Tm∶YVO4晶体中Tm3+的发光研究

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测量了Tm∶YVO4 晶体的吸收光谱 ,以 34 6nm、36 3nm(1D2 )、475nm(1G4 )、6 98nm (3 F2 ,3 F3 )和 80 1nm(3 H4 )光激发时的发射光谱 ,以及位于 45 4nm (1D2 → 3 F4 )、475nm (1G4 → 3 H6)、6 46nm (1G4 → 3 F4 )、80 6nm(3 H4 →3 H6)的荧光谱线的激发光谱 ,对测量的结果进行了详细分析 ,解释了离子能级间的跃迁过程。提出了Tm∶YVO4 晶体基质与Tm3 + 之间的能量交换的概念和新的跃迁通道 ,证实了存在1D2 +3 H6→1G4 +3 F4 以及1G4 +3 H6→3 H4 +3 H5的能量传递过程 ,还可能存在交叉弛豫过程 1G4 +3 H6→3 F2 +3 F4 。这些过程使得Tm∶YVO4 晶体难以实现1D2 能级上转换发光 (4 5 4nm左右 ) ,但 475nm的上转换发光 (1G4 →3 H6)较强 ,3 F4 能级是潜在红外激光发射能级。 The absorption spectrum of the Tm: YVO4 crystal was measured and the emission spectra at 34 6 nm, 36 3 nm (1D2), 475 nm (1G4), 688 nm (3 F2, 3 F3) and 80 1 nm (3 H4) The results of the measurements are detailed in the excitation spectra of the fluorescence spectra of 4nm (1D2 → 3F4), 475nm (1G4 → 3 H6), 646nm (1G4 → 3F4), 806nm (3 H4 → 3 H6) Analyze and explain the transition process between ion energy levels. The concept of energy exchange between Tm: YVO4 crystal matrix and Tm3 + and the new transition channel are proposed, which prove the energy transfer process of 1D2 +3 H6 → 1G4 +3 F4 and 1G4 +3 H6 → 3 H4 +3 H5 , There may be cross-relaxation process 1G4 +3 H6 → 3 F2 +3 F4. These processes make the Tm: YVO4 crystal difficult to achieve 1D2 level upconversion luminescence (around 454nm), but the 475nm upconversion luminescence (1G4 → 3 H6) is strong, and the 3F4 level is the potential infrared laser emission level.
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