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随着半导体制程工艺的不断发展,对器件隔离性能的要求越来越高,对减小浅沟槽隔离边缘的泄漏电流的要求也越来越高.本文从中国、全球的专利申请量、申请人和分类号的分布等多方面进行统计分析,总结了与减小浅沟槽隔离边缘泄漏电流相关的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布以及重点技术的发展路线进行了梳理.
减小浅沟槽隔离边缘泄漏电流专利技术综述
【摘 要】
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随着半导体制程工艺的不断发展,对器件隔离性能的要求越来越高,对减小浅沟槽隔离边缘的泄漏电流的要求也越来越高.本文从中国、全球的专利申请量、申请人和分类号的分布等多
【机 构】
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国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心,苏州,215011
【出 处】
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数字通信世界
【发表日期】
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2016年10期
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