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采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Cu-In合金预置膜，采用固态硫源在N2气氛下硫化热处理的方法制备了CuInS2薄膜。研究了硫化温度对CuInS2薄膜的晶相结构、表面形貌和光学带隙等性能的影响。采用X射线衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE-SEM）、紫外可见光谱（UVVis）等测试手段对薄膜的晶相结构、表面形貌、光学性能进行了表征。结果表明，Cu-In合金预置膜经550℃硫化热处理20min可制备出黄铜矿结构的CuInS2薄膜，并具有（112）面的择优取向，所制备的CuInS2薄膜晶粒粒径约为1μm，光学