【摘 要】
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采用粉末冶金方法，制备了用于电力电子半导体支撑板的一种新型的ＦｅＮｉ／Ｃｕ复合材料（简称ＤＧ合金），详细研究了ＤＧ合金，电阻性能的各种影响因素———铜含量、烧结温度、ＦｅＮｉ粉和铜粉的粒度、Ｃｕ纤维的长径
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采用粉末冶金方法，制备了用于电力电子半导体支撑板的一种新型的ＦｅＮｉ／Ｃｕ复合材料（简称ＤＧ合金），详细研究了ＤＧ合金，电阻性能的各种影响因素———铜含量、烧结温度、ＦｅＮｉ粉和铜粉的粒度、Ｃｕ纤维的长径比。实验结果表明：ＤＧ合金的电阻率不仅与铜含量有关，还与ＦｅＮｉ与Ｃｕ相的界面扩散、分布形态、结合强度有关。
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