【摘 要】
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利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(IN2Se3)纳米线,所合成的IN2Se 3纳米线的直径分布在20~200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功
【机 构】
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江西省微纳材料与传感器件重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(61664005);江西省自然科学基金(20161BAB211012,20181BAB201014)资助项目
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利用气-液-固(VLS)生长机理合成出高质量的单晶三硒化二铟(IN2Se3)纳米线,所合成的IN2Se 3纳米线的直径分布在20~200 nm范围内,长度为几十微米.采用标准的微纳加工工艺,成功构建了基于单根IN2Se3纳米线的器件,其器件结构为电阻型结构.经过对一系列具有不同直径大小的IN2Se 3纳米器件的光电导性能研究,该类器件的光电导性能表现出明显的尺寸依赖性,为构建基于IN2Se3纳米线的高效光探测器提供了关键的实验和理论依据.
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