氧离子束辅助激光淀积生长ZnO／Si的研究

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【摘要】

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利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向

【作者】

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李庚伟吴正龙邵素珍张建辉刘志凯

【机构】

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中国地质大学材料科学与工程学院,北京师范大学分析测试中心,北京市第四十七中学,中国科学院半导体材料科学实验室

【出处】

：

材料导报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

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ZnO/Si 氧离子束辅助激光淀积生长异质结薄膜 X射线摇摆曲线 X射线光电子能谱 ZnO/Si heterostrueture O~+-assisted

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利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.

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