【摘 要】
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通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入
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通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
Through the analysis of different source and drain doping conditions, the sheet resistance, the contact resistance and the effective channel length of the on-chip amplifier in the CCD, the process conditions of source and drain ions were determined to be 100 keV with a dose of 5 × 10 15 cm -2. The effects of diffusion and ion implantation on the DC output of the amplifier are analyzed. The results show that the difference between the DC output and the simulation value of the amplifier with source / drain doping is 0.28V when the aspect ratio is 4/1. Diffusion process.
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