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,Relaxation of 6H-SiC (0001) Surface and Si Adsorption on 6H-SiC (0001): an ab initio Study
【机 构】
：
Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048“,”School of Scien
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2015年3期
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