【摘 要】
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用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,Cornell University
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用4K光致发光研究了掺Sn分子束外延GaAs中Sn原子的占位.结果表明在固定As_4/Ga束流比下,高温生长会引起 GaAs:Sn外延层中 Sn受主态的增强.与之有关的1.507eV,1.35eV两发射峰分别为束缚在中性Sn受主上的电子空穴对的辐射复合(S_n~o,X)和自由电子与束缚空穴间的跃迁(D~o,S_n~o).
The photoluminescence (PL) of Sn atoms in Sn - doped molecular beam epitaxy GaAs was investigated by using photoluminescence (PL) photoluminescence (PL). The results show that the high - temperature growth of Sn in GaAs: The emission peaks at 1.507eV and 1.35eV are respectively the radiative recombination (S_n ~ o, X) of electron-hole pairs bound to the neutral Sn acceptor and the transition between free electrons and bound holes (D ~ o , S_n ~ o).
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