ULSI多层布线钨插塞CMP粗糙度的影响因素分析

来源 :河北工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lmj1103

【摘要】

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随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文

【作者】

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韩力英牛新环刘玉岭

【机构】

：

河北工业大学信息工程学院

【出处】

：

河北工业大学学报

【发表日期】

：

2011年2期

【关键词】

：

ULSI 多层布线钨插塞 CMP 粗糙度 ULSI multilevel metallization tungsten plug chemical mecha

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随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文主要研究多层互连钨插塞材料CMP过程中的表面粗糙度影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响粗糙度的主要因素,确定了获得较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.

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