PECVD法TiSi_2薄膜的制备工艺研究

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本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试分析,证明采用PECVD方法制备TiSi_2薄膜的工艺是完全可行的。 In this paper, the PECVD deposition platform for TiSi_2 thin film preparation. X-ray diffraction, Auger analysis and scanning electron microscopy and other analytical means, the prepared TiSi_2 film and its oxidation characteristics, multilayer film structure and etching characteristics of a comprehensive test analysis to prove that the use of PECVD TiSi_2 film preparation process Is entirely feasible.
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