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反应溅射法制备钒氧化物薄膜及电学性质的测量
反应溅射法制备钒氧化物薄膜及电学性质的测量
来源 :物理实验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenziling
【摘 要】
:
采用射频溅射法,通过控制通入真空腔中Ar和O2的比例来获得VOx薄膜.由于V的氧化物众多,不同的氧分压会显著影响薄膜的组分.实验结果表明:尽管在X射线衍射谱上没有观测到明显的
【作 者】
:
安子烨
高伟哲
祝巍
张增明
孙腊珍
【机 构】
:
中国科学技术大学物理学院
【出 处】
:
物理实验
【发表日期】
:
2016年7期
【关键词】
:
二氧化钒
射频溅射
相变
VO2RF sputteringphase transition
【基金项目】
:
国家基础科学人才培养基金资助(No.J1103207)
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采用射频溅射法,通过控制通入真空腔中Ar和O2的比例来获得VOx薄膜.由于V的氧化物众多,不同的氧分压会显著影响薄膜的组分.实验结果表明:尽管在X射线衍射谱上没有观测到明显的VO2特征峰,但在氧气的比例为40%~50%时样品具有很大的电阻温度系数.
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