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用十八烷基三氯硅烷（OTS）修饰了不同厚度的酞菁铜（CuPc）有机薄膜晶体管器件，对比酞菁铜厚度为15、40、80nm的3种器件性能后，得到40nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率。分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响，得到的40nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4．3×10^-3 cm^3／V·S，阈值电压为-9．5V。