采用亚微米反向晶体管结构对电流开关进行充分的器件-电路级模拟

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:crazyinlove_2008
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采用亚微米反向晶体管结构对电流开关进行充分的器件-电路级模拟=刊.俄]-1993,22(2).-85~95随着硅双极超高速超大规模集成电路现代制作技术的发展,以及亚微米薄膜晶体管结构集成构造的改善。对双极超高速超大规模集成电路进行分段物理/工艺电路模... Use of submicron reverse transistor structure of the current switch for full device - circuit level simulation = publication. Russian] -1993,22 (2). -85 ~ 95 With the development of modern fabrication technology for ultra-high speed VLSI (VLSI) superconducting silicon bipolar transistors and the improvement in the integrated structure of submicron TFT structures. Bipolar ultra-high-speed VLSI circuit ...
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