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利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，电流增益载止频率fT大于30GHz，最高振荡频率fmax大于50GHz，连续波功率测量表明：在1dB增益压缩时，单指HBT可以提供100mW输出功率，对应的功率密度为6.67W/mm，功率饱和时最大输出功率112mW，对应功率密度为7.48W/mm，功率附加效率为67%。