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采用热壁外延（Hot Wall Epitaxy，HWE）沉积系统在单晶Si（211）衬底表面制备了InAs薄膜，研究了不同生长温度（300℃、350℃、400℃、450qC和500℃）对薄膜材料结构及其电学性能的影响。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、霍尔（Hall）测试等，对InAs／Si（211）薄膜的晶体结构、表面形貌及电学参数进行了测试分析。结果表明：采用HWE技术在Si（211）衬底表面成功制备了InAs薄膜，薄膜具有闪锌矿结构并沿（111）方向择优生长