【摘 要】
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研制了一种在4千兆赫的频率下具有3瓦输出功率的硅平面NPN 晶体管。是由小信号晶体管的并联来实现的。功率晶体管特有的热问题由银做成的热沉来加以解决。本文叙述了功率晶体
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研制了一种在4千兆赫的频率下具有3瓦输出功率的硅平面NPN 晶体管。是由小信号晶体管的并联来实现的。功率晶体管特有的热问题由银做成的热沉来加以解决。本文叙述了功率晶体管的设计,功率晶体管特有的制造技术及其特性。
Developed a silicon planar NPN transistor with 3 watts of output power at 4 GHz. Is achieved by the parallel connection of small signal transistors. Power transistor-specific thermal issues made of silver to be resolved. This article describes the design of power transistors, the power transistor manufacturing technology and its unique characteristics.
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