论文部分内容阅读
应变Si材料的能带结构是研究设计高速／高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K．P微扰法建立了（001）面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[001]、[00^-1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值随Ge组分的增加而变小；导带劈裂能与Ge组分成线性关系；价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加，而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大；禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据，对器件研究设计可提供有价值的参考。