【摘 要】
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采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr3量子点.透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量
【机 构】
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重庆大学光电工程学院,重庆400044;凯里学院大数据工程学院,贵州凯里556011;凯里学院大数据工程学院,贵州凯里556011;重庆大学光电工程学院,重庆400044
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采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr3量子点.透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量子点的光致发光量子效率(PLQY).当掺杂铅和锡的物质的量比为9∶1时,量子点的PLQY从未掺杂时的21.0％提高到了40.4％.随着锡掺杂量的增加,XRD谱中出现了杂相,光致发光减弱,PLQY由少量锡掺杂(铅和锡的物质的量比为9∶1)量子点的40.4％降低到CsPb06Sn04Br3的10.4％.少量锡掺杂的CsPb09Sn01Brs具有最强的光致发光和电致发光,其光致发光峰位为511 nm,PLQY为40.4％,电致发光峰位为512 nm,电致发光亮度为343.0 cd/m2,是未掺杂CsPbBr3量子点发光二极管亮度的2.5倍.本实验证明了采用少量锡掺杂CsPbBr3(CsPb0.9Sn0.1Br3)可以降低量子点的表面缺陷,提高量子点的光致发光与电致发光性能.
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