【摘 要】
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采用逆温法生长得到了MAPbI3单晶,经过粗磨抛光处理后,作为靶材在其表面蒸镀了Au电极,制备了Au/MAPbI3/Au光电探测器,并对其光电性能进行了详细研究.在不同光照条件下的Ⅰ-Ⅴ
【机 构】
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上海电力大学数理学院,上海,200090
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采用逆温法生长得到了MAPbI3单晶,经过粗磨抛光处理后,作为靶材在其表面蒸镀了Au电极,制备了Au/MAPbI3/Au光电探测器,并对其光电性能进行了详细研究.在不同光照条件下的Ⅰ-Ⅴ性能测试结果表明,相同的偏压下MAPbI3单晶光电探测器均具有较好的光敏感性和探测性能.通过α能谱和飞行时间(TOF)技术研究并讨论了该探测器对α粒子的探测性能,并最终得到探测器中电子和空穴的电子迁移率和寿命乘积分别为5.6×10-4和3.3×10-4 cm2/V,电子和空穴的迁移率分别为24.6和59.7 cm2/(V·s).实验结果表明,该探测器的探测能力与室温核辐射探测材料CdZnTe的相当,证实了逆温法生长的MAPbI3单晶具有优异的电荷传输性能,在室温辐射检测领域有巨大的潜力.
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