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【摘 要】
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据日本《O Plus E》1992年第147期报道,美国AT&T贝尔研究所已开发世界上最小的半导体激光器。这种器件像“图钉”那样立在硅衬底上,器件的顶部直径为5μm,厚度只有0.1μm。该
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年01期
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